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资料
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGWA80H65DFB TO-24739055+¥16.602350+¥15.8928200+¥15.4955500+¥15.39621000+¥15.29682500+¥15.18335000+¥15.11247500+¥15.0414
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB40N120SWG 单晶体管, IGBT, 80 A, 2 V, 535 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚26935+¥18.486050+¥17.6960200+¥17.2536500+¥17.14301000+¥17.03242500+¥16.90605000+¥16.82707500+¥16.7480
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG18N120BND 单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚40235+¥32.607950+¥31.2144200+¥30.4340500+¥30.23901000+¥30.04392500+¥29.82095000+¥29.68167500+¥29.5422
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品类: IGBT晶体管描述: HGTG11N120CND系列 1200 V 43 A 法兰安装 NPT N沟道 IGBT-TO-24741375+¥3.699025+¥3.425050+¥3.2332100+¥3.1510500+¥3.09622500+¥3.02775000+¥3.000310000+¥2.9592
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。75385+¥22.276850+¥21.3248200+¥20.7917500+¥20.65841000+¥20.52512500+¥20.37285000+¥20.27767500+¥20.1824
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGPF15N60UNDF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220F封装38435+¥2.295025+¥2.125050+¥2.0060100+¥1.9550500+¥1.92102500+¥1.87855000+¥1.861510000+¥1.8360
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品类: IGBT晶体管描述: FGL60N100BNTD 管装39925+¥12.589250+¥12.0512200+¥11.7499500+¥11.67461000+¥11.59932500+¥11.51325000+¥11.45947500+¥11.4056
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGF15M65DF2 TO-220FP-368055+¥5.872525+¥5.437550+¥5.1330100+¥5.0025500+¥4.91552500+¥4.80685000+¥4.763310000+¥4.6980
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚34395+¥12.261650+¥11.7376200+¥11.4442500+¥11.37081000+¥11.29742500+¥11.21365000+¥11.16127500+¥11.1088
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGF10NC60KD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚394510+¥9.3720100+¥8.9034500+¥8.59101000+¥8.57542000+¥8.51295000+¥8.43487500+¥8.372310000+¥8.3411
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SGF5N150UFTU IGBT Single Transistor, 10A, 1.5kV, 62.5W, 1.5kV, SOIC, 3Pins24615+¥32.034650+¥30.6656200+¥29.8990500+¥29.70731000+¥29.51562500+¥29.29665000+¥29.15977500+¥29.0228
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品类: IGBT晶体管描述: Co-Pack IGBT 超过 21A,Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。11415+¥19.971950+¥19.1184200+¥18.6404500+¥18.52101000+¥18.40152500+¥18.26495000+¥18.17967500+¥18.0942
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品类: IGBT晶体管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PH50UPBF 晶体管, 单路, IGBT, 1.2KV, 45A 新651810+¥8.7480100+¥8.3106500+¥8.01901000+¥8.00442000+¥7.94615000+¥7.87327500+¥7.814910000+¥7.7857
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品类: IGBT晶体管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PC50FPBF 晶体管, 单路, IGBT, 600V, 70A 新476810+¥8.7360100+¥8.2992500+¥8.00801000+¥7.99342000+¥7.93525000+¥7.86247500+¥7.804210000+¥7.7750
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 52A 3Pin(3+Tab) TO-247AC37495+¥17.748950+¥16.9904200+¥16.5656500+¥16.45951000+¥16.35332500+¥16.23195000+¥16.15617500+¥16.0802
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品类: IGBT晶体管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRGB4062DPBF IGBT Single Transistor, 48A, 1.65V, 250W, 600V, TO-220, 3Pins77035+¥26.395250+¥25.2672200+¥24.6355500+¥24.47761000+¥24.31972500+¥24.13925000+¥24.02647500+¥23.9136
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 超过 21A,Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。51221+¥1016.845810+¥981.167050+¥976.7072100+¥972.2473150+¥965.1115250+¥958.8678500+¥952.62401000+¥945.4882
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PF50WPBF 单晶体管, IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚58361+¥384.008010+¥373.990450+¥366.3102100+¥363.6389200+¥361.6354500+¥358.96401000+¥357.29442000+¥355.6248
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube330210+¥8.7120100+¥8.2764500+¥7.98601000+¥7.97152000+¥7.91345000+¥7.84087500+¥7.782710000+¥7.7537
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4BC30WPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚70195+¥12.460550+¥11.9280200+¥11.6298500+¥11.55531000+¥11.48072500+¥11.39555000+¥11.34237500+¥11.2890
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube503310+¥8.7120100+¥8.2764500+¥7.98601000+¥7.97152000+¥7.91345000+¥7.84087500+¥7.782710000+¥7.7537
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60C3D 单晶体管, IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚79831+¥43.407610+¥40.9170100+¥39.0668250+¥38.7822500+¥38.49761000+¥38.17732500+¥37.89275000+¥37.7148
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。22765+¥18.930650+¥18.1216200+¥17.6686500+¥17.55531000+¥17.44202500+¥17.31265000+¥17.23177500+¥17.1508
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品类: IGBT晶体管描述: 600V,120A,IGBT带二极管38201+¥40.101410+¥37.8005100+¥36.0913250+¥35.8283500+¥35.56531000+¥35.26952500+¥35.00665000+¥34.8422
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品类: IGBT晶体管描述: 600V,60A,IGBT带二极管82715+¥19.047650+¥18.2336200+¥17.7778500+¥17.66381000+¥17.54982500+¥17.41965000+¥17.33827500+¥17.2568
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品类: IGBT晶体管描述: HB 系列 650 V 60 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-24773245+¥25.084850+¥24.0128200+¥23.4125500+¥23.26241000+¥23.11232500+¥22.94085000+¥22.83367500+¥22.7264
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。920210+¥7.2000100+¥6.8400500+¥6.60001000+¥6.58802000+¥6.54005000+¥6.48007500+¥6.432010000+¥6.4080
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。75355+¥14.250650+¥13.6416200+¥13.3006500+¥13.21531000+¥13.13002500+¥13.03265000+¥12.97177500+¥12.9108
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor ISL9V3040P3 N沟道 IGBT, 21 A, Vce=450 V, 3引脚 TO-220AB封装40475+¥13.057250+¥12.4992200+¥12.1867500+¥12.10861000+¥12.03052500+¥11.94125000+¥11.88547500+¥11.8296
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,Infineon **Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术,如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。812710+¥10.6680100+¥10.1346500+¥9.77901000+¥9.76122000+¥9.69015000+¥9.60127500+¥9.530110000+¥9.4945